電子和精密機(jī)械零件加工制造檢測(cè)工具顯微鏡
阻障層完整性的損壞(barrier integrity damage)與二氧化矽凹陷(oxide depressions)
阻障層完整性的損壞與二氧化矽凹陷發(fā)生的主要原因,是由于電鍍層與化學(xué)機(jī)械研磨
或化學(xué)機(jī)械研磨與阻障層沉積的交互作用,
化學(xué)機(jī)械研磨后介電層表面的凹陷在晶圓檢測(cè)階段可以檢測(cè)出來(lái),
因?yàn)榘枷菔怯啥趸鶎拥倪^(guò)磨經(jīng)由穿孔所導(dǎo)致的,而且其350到600埃的深度一般都超過(guò)阻障層厚度,所以在移除過(guò)程不同的時(shí)間階段對(duì)阻障層表面進(jìn)行檢驗(yàn),會(huì)發(fā)現(xiàn)凹陷是在移除過(guò)程的早期階段發(fā)生于阻障層的,在介電層表面的深孔也顯示了前面對(duì)刮痕所討論的相同問(wèn)題。#F#圖七:不完全的阻障層移除會(huì)造成深入二氧化矽層的針孔
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