本文標(biāo)題："開(kāi)發(fā)的線(xiàn)上檢測(cè)誤差的影像量測(cè)顯微鏡"

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開(kāi)發(fā)的線(xiàn)上檢測(cè)誤差的影像量測(cè)顯微鏡

一方面了解機(jī)臺(tái)精度，一方面分析本技術(shù)所能達(dá)到的精度，具體的目標(biāo)說(shuō)明如下：

兩次電極涂布對(duì)位誤差補(bǔ)償技術(shù)
以往硅晶太陽(yáng)能芯片在單次電極涂布時(shí)，涂布區(qū)域相對(duì)于芯片邊
界在位置及角度上皆允許有較大誤差的產(chǎn)生，介于 200~300 μm，但并
不影響芯片的轉(zhuǎn)換效率。然而，當(dāng)制程改變?yōu)閮纱瓮坎紩r(shí)，

若仍使用單次涂布的檢測(cè)與補(bǔ)償技術(shù)，將只能修正芯片邊界的對(duì)位誤差，但無(wú)
法解決涂布區(qū)域相對(duì)于芯片邊界的誤差及兩次涂布電極的錯(cuò)位問(wèn)
題。

因此，將使用自行開(kāi)發(fā)的線(xiàn)上檢測(cè)與誤差補(bǔ)償技術(shù)，實(shí)
際對(duì)兩次涂布所產(chǎn)生的對(duì)位誤差進(jìn)行補(bǔ)償。透過(guò)影像采集設(shè)備并配合
誤差補(bǔ)償軟件，實(shí)際對(duì)涂布機(jī)臺(tái)進(jìn)行補(bǔ)償值的修正，希望將兩次涂布
之對(duì)位誤差降至 50 μm 內(nèi)，目標(biāo)為在現(xiàn)有機(jī)臺(tái)上做小改變，并滿(mǎn)足
量產(chǎn)性
 

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開(kāi)發(fā)的線(xiàn)上檢測(cè)誤差的影像量測(cè)顯微鏡,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

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