本文標(biāo)題："提升因IC薄化與多角化后很易于封裝"

半導(dǎo)體封裝多以轉(zhuǎn)注成型將樹(shù)脂擠入模穴內(nèi)。充填過(guò)程中流動(dòng)樹(shù)脂會(huì)對(duì)金線產(chǎn)生

拖曳力而導(dǎo)致金線偏移，甚至互相接觸，是造成缺限的一大隱憂。隨著IC薄化和

多腳化的趨勢(shì)，此問(wèn)題益加的重要，是一個(gè)及需要

克服的難題。目前研究多暫略金線存在，或簡(jiǎn)化為二維，

針對(duì)三維金線，設(shè)計(jì)加裝透明觀察窗之轉(zhuǎn)注成型模，攝影記錄樹(shù)脂在模穴內(nèi)的充填

過(guò)程，并改變金線端點(diǎn)相對(duì)高度、膠口位置等變因，做一系列的流動(dòng)觀察

以數(shù)值分析預(yù)測(cè)金線偏移，并以量測(cè)驗(yàn)的結(jié)果印證。

究觀察發(fā)現(xiàn)，三維金線的存在會(huì)對(duì)流場(chǎng)產(chǎn)生相當(dāng)?shù)挠绊懀鹁€數(shù)目越多，

影響越大。數(shù)值流場(chǎng)分析忽略金線的存在，會(huì)造成誤差。

金線偏移量會(huì)隨著雷諾數(shù)增大而增加，對(duì)正方形模穴而言，澆口位置在邊的交角

比澆口在

邊長(zhǎng)中央可得到較小的金線偏移。金線一端上置型模座較兩端平置型偏移量小。

同時(shí)探討在轉(zhuǎn)注成型的制程加上壓縮步驟的果效，試以

改良目前傳統(tǒng)轉(zhuǎn)注成型，提升因IC薄化與多角化后之可封裝性所產(chǎn)生的封

裝問(wèn)題。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在極慢壓縮速度，金線偏移確實(shí)大幅減小。

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