本文標題："三次元工具顯微鏡量測試片的金線接合跨距"

半導體封裝金線幾何形狀對金線高溫偏移勁度之影響

隨著半導體積體電路技術的發(fā)展，近年來電子元件形式朝著輕、薄、短、小及多弁? 演進，然而想要擠進為數(shù)眾多內(nèi)引腳增加電路密度，

一定使得金線接合封裝中金線與金線的間距更加緊密，所以在IC封裝制程中，即使是微小的金線偏移量都會發(fā)生金線相接觸的情形，

因此如何能有效抑制金線偏移 (Wire Sweep)過大將是IC封裝中重要的問題，但大部份金線偏移分析論文都著重于晶片封裝模流分析，

對于高溫半導體封裝金線幾何形狀對金線偏移之影響尚未非常明瞭。

本研究是探討半導體封裝金線幾何形狀對金線高溫偏移勁度之影響，首先以三次元工具顯微鏡量測試片的金線接合跨距、

金線接合高度的座標值。然后在金線幾何形狀偏移實驗中，固定金線直徑(Wire Diameter )、金線接合高度( Bond Height )，

配合四種不同的封裝環(huán)境溫度以及四種金線接合跨距(Bond Span)，并藉由高溫爐及微金線偏移試驗機進行金線高溫偏移實驗，

以量測金線于IC封裝時，受高溫模流拖曳力所產(chǎn)生的橫向位移偏移勁度值。

將所得金線實驗數(shù)據(jù)值與龔氏方程式預測值(Kung’s Equation)的結果進行比較，

以瞭解橢圓型金線在不同溫度及金線接合參數(shù)下的金線拖曳力及橫向位移偏移大小。

以提供未來金線偏移設計分析者，對采用何種封裝環(huán)境溫度、金線直徑、金線接合參數(shù)與接合幾何形狀下

，所能承受大金線拖曳力及橫向位移能有所預測與依循。

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