本文標(biāo)題："大量實驗觀測表面吸附原子與在該層的擴散雜質(zhì)"

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大量實驗觀測表面吸附原子與在該層的擴散雜質(zhì)

    當(dāng)潔凈表面置于電解質(zhì)溶液時，表面就吸附溶液內(nèi)的雜質(zhì)離
子。
    所列數(shù)據(jù)是一個很適當(dāng)?shù)奈綄嵗?，它說明浸入很稀的污染
離子溶掖內(nèi)的硅，其表面的SiOa膜吸附六種元素的程度。當(dāng)考慮
到相應(yīng)的單位表面硅原子數(shù)時，這種程度是大的，因為衷面的位
置數(shù)約101勺厘米，而外來原子所占位咒為10000-10個。
    大量實驗觀測結(jié)果證實，對電子器件的制造來說，當(dāng)前的加工
方法在表而還遺留雜質(zhì)1013原子。例如，蝕刻硅時，蝕刻
劑不僅很快含有溶解的硅，而且還含摻雜原子與在該層的擴散雜
質(zhì)。表6-1證實終硅而對這些離子進(jìn)行了重大吸附。這可能是
微星電的吸附作用。

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大量實驗觀測表面吸附原子與在該層的擴散雜質(zhì),熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

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