本文標(biāo)題："離子微分析器觀察鉀鈉污染物質(zhì)如何有效進(jìn)行"

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離子微分析器觀察鉀鈉污染物質(zhì)如何有效進(jìn)行

    若能“看”到并確定溝道位置，就可以對(duì)一已知缺陷區(qū)域進(jìn)行
分析，并和另一已知的不存在反向漏電流的區(qū)域進(jìn)行對(duì)比。由此
可見(jiàn)，掃描電子顯微鏡可作為一種慢動(dòng)作分析的映像工具。在這
種情況下，可首先試用電子微探針(EMA)方法，結(jié)果在溝道區(qū)檢
測(cè)出鈉和鉀，也可用離子微分析器(1MA)作進(jìn)一步分析。用離子微
分析器聽(tīng)產(chǎn)生的晶體管圖像表明:原來(lái)用掃描電子顯微鏡所觀察
到的缺陷區(qū)就是和存在鉀、鈉污染有關(guān)。然而，多數(shù)污染點(diǎn)與反向
漏電流區(qū)沒(méi)有關(guān)系，此外，凡是含堿高的點(diǎn)，卻是鉀和鈉濃度較
低的區(qū)域，一般有缺陷的器件，其堿類(lèi)物質(zhì)較多，所以，先用濺時(shí)
法將整個(gè)氧化層去掉，污染也就沒(méi)有了。
    在取得這些結(jié)果的基礎(chǔ)上，提出了有關(guān)失效的機(jī)理:散落物中
含有相當(dāng)數(shù)鉀和鈉，它們粘附在器件上，在有些情況下(不是所
有情況)和氧化物混在一起，因而在熱處理和功率老終工序過(guò)程
中，堿類(lèi)物質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入氧化物，大部分堿依然殘留在氧化物的表層
附近。施加電壓后一些堿的原子被電離，并從硅氧化物介質(zhì)反面
的硅中吸引負(fù)電荷，于是便造成了有害的反向漏電流。
 

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