本文標(biāo)題："通常環(huán)境下生產(chǎn)線上產(chǎn)品如何測(cè)試失效率"

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通常環(huán)境下生產(chǎn)線上產(chǎn)品如何測(cè)試失效率

   當(dāng)結(jié)溫為150度(額定條件的極大值)，在通常環(huán)境下的小規(guī)模
試驗(yàn)生產(chǎn)線上產(chǎn)品的預(yù)側(cè)失效率為每1000小時(shí)0.03%，在含塵量低
的環(huán)境中生產(chǎn)的產(chǎn)品每1000小時(shí)預(yù)測(cè)失效率為0.001%，而且在含塵
量低的環(huán)境中生產(chǎn)的產(chǎn)品，能通過(guò)初測(cè)的也較多。
    與產(chǎn)品設(shè)計(jì)之間的關(guān)系
    許多情況下，可以通過(guò)修改產(chǎn)品設(shè)計(jì)來(lái)避免污染的影響。硅
平面型晶體管由于表面反型層而產(chǎn)生漏電流過(guò)多這一情況，可以
清楚地說(shuō)明產(chǎn)品設(shè)計(jì)、電氣性能和它對(duì)污染敏感度之間的一定關(guān)
系。
    圖2-11為器件的幾何圖形。器件由于從基極一集電極結(jié)到片
子的邊緣存在反型層而產(chǎn)生過(guò)大的集電極電流，這個(gè)效應(yīng)稱為溝
道效應(yīng)。它的集電極電壓一電流特性表示在圖2-1h中。電流可以
從基極區(qū)沿著反型層在片子邊緣流進(jìn)襯底硅。片子的邊緣是一個(gè)
缺陷密度很高的位置，那里很容易發(fā)生由反型層到集電極區(qū)域之
間的擊穿。如果附加一個(gè)高摻雜擴(kuò)散的防護(hù)環(huán)或“溝道塞”如圖
2-11所示，就能使這些反型層無(wú)害，這些防護(hù)環(huán)在npn和pnp兩
種晶體管中都能起作用。
 

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