本文標(biāo)題："在粒子氧化物被腐蝕造成過(guò)多的漏電流的原因"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 站內(nèi)動(dòng)態(tài) ------ 人瀏覽過(guò) -----時(shí)間：2015-10-1 21:13:23

在粒子氧化物被腐蝕造成過(guò)多的漏電流的原因

    因?yàn)橐恍┢骷墓軞な倾~，所以銅的淀積可以作為金屬淀積
使晶體管損壞的一個(gè)實(shí)際例子。當(dāng)器件輸出功率使片溫升高時(shí)，
銅首先淀積在器件的高摻雜區(qū)，周圍環(huán)境中的氛又加強(qiáng)了銅的淀
積過(guò)程。淀積的體積約為1立方微米，重量約9x10-”克或約為
7 x 101銅原子。
    粒子的影響 一 在微電子器件的制造中，微粒可以造成和粒子
大小相當(dāng)?shù)尼樋缀推渌毕?。圖2-6a為兩顆小到直徑為0.3微
米的粒子，在圖形形成前恰好嵌入硅平面器件光刻膠的薄層中;圖
2-3b為在正常的光刻圖形形成后，粒子卻使氧化層暴露出來(lái);圖
2-6o為由于正常光刻圖形上的氧化層要被腐蝕，因此在腐蝕時(shí)，
在粒子所開(kāi)窗口的氧化物也被腐蝕，而使硅的pn結(jié)暴露出來(lái)，這
就是造成過(guò)多的漏電流的主要原因。

后一篇文章：預(yù)測(cè)額定功率條件下的失效率數(shù)碼顯微鏡測(cè)量 »
前一篇文章：« 雜質(zhì)的遷移對(duì)于器件特性有什么影響工具顯微鏡

tags:數(shù)碼顯微鏡,光學(xué)顯微鏡,科學(xué),生物顯微鏡,精密儀器,

在粒子氧化物被腐蝕造成過(guò)多的漏電流的原因,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

本頁(yè)地址：http://www.royalbiomedical.com/wz/2159.html轉(zhuǎn)載注明
本站地址：http://www.royalbiomedical.com/
http://www.xianweijing.org/