如何有效利用光刻技術(shù)刻制襯底上的導(dǎo)體圖形
鍍敷 金屬淀積中的電鍍(使用外加電源)或化學鍍(由化學反應(yīng)提供電勢)常用于形成薄膜電路的導(dǎo)電圖形。鍍膜性質(zhì)取決于電鍍?nèi)芤旱某煞?、電鍍條件、溶液純度和電鍍槽的形狀。要使鍍膜性能和質(zhì)量符合要求并保持穩(wěn)定,就必須嚴格控制上述參數(shù)。 少量的化學物能嚴重影響鍍層的結(jié)構(gòu)、表面質(zhì)量和硬度。此外,要求金屬離子的濃度保持在規(guī)定的范圍內(nèi)。因此,大量的鍍液對于防止鍍槽過快失效有利。電鍍過程中的電流密度應(yīng)保持在根據(jù)經(jīng)驗確定的范圍內(nèi)。否則,可能影響鍍層結(jié)構(gòu),或者鍍槽元素摻進鍍膜和出現(xiàn)不均勻表面(小結(jié)節(jié))。 光刻在薄膜電路的制備中,利用光刻技術(shù)刻制襯底上的導(dǎo)體圖形。當制作復(fù)雜的電路時,需要10次光刻才能完成。一個圖形的制作步驟(包括把光致抗蝕劑均勻轉(zhuǎn)壓或噴射在襯底表面上):抗蝕劑烘烤、掩模曝光、抗蝕劑顯影、干燥,曝光的金屬部分刻蝕以及后清除(剝?nèi)?殘余的光致抗蝕劑。 對于目前2-5密耳的薄膜電路線寬來說,基本上可以不考慮光致杭蝕劑厚度(3-4微米)所引起的圖形不清晰度。在這樣厚度的光致抗蝕劑層上,針孔不是主要問題。要緊的是光致杭蝕劑的厚度必須保證蓋住粗糙的(與拋光的硅片相比較)陶瓷表面上所有的尖凸點。
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